SiC |
Представляет собой широкозонный полупроводник (Eg=2,2÷3,2 эВ, в зависимости от модификации), использование которого перспективно в силовой и СВЧ-электронике в ... |
Карбид кремния(IV) структурная формула. Введенное название, nsi1c1. Предложенное название, Карборунд. Синоним, Карбид кремния(IV). Класс. Статья в Википедии ... |
26 июн. 2023 г. · Получение Карбид кремния получают спеканием кварцевого песка и кокса в электропечах при температуре 2000–2200 °C: S i O 2 + 3 C = S i C + 2 C O ... |
Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Искусственным путем порошок карбида кремния был получен в 1893 ... |
Novbeti > |
Axtarisha Qayit Anarim.Az Anarim.Az Sayt Rehberliyi ile Elaqe Saytdan Istifade Qaydalari Anarim.Az 2004-2023 |